Поиск по материалам: |
Главная → Хроника событий ↔ Научно-популярный журнал «Интеллектуальный капитал»
Перспективы нового метода оценки радиационной устойчивости оксида галлия
Рубрика: Научно-популярный журнал «Интеллектуальный капитал»
Автор публикации: Российское информационное агентство «Национальный альянс»

Опубликовано: 24/01/2026 12:26
Перспективы нового метода оценки радиационной устойчивости оксида галлия
Группа ученых Санкт-Петербургского Политехнического университета Петра Великого разработала оригинальный метод оценки радиационной устойчивости оксида галлия.
На ежегодной сессии Научного совета отделения физических наук РАН по направлению «Радиационная физика твёрдого тела» это открытие признано важнейшим результатом в области радиационной физики твёрдого тела за 2025г.
Оксид галлия может стать перспективным полупроводником для электроники нового поколения.
«Петербург и наши ученые подтверждают — город готов к выполнению поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники, которые глава государства дал на совещании в четверг. Исследования ученых Политеха и их уникальный результат — очередное подтверждение высокого потенциала петербургских ученых. Город продолжит поддержку науки, молодых специалистов — это один из десяти приоритетов развития Петербурга», — подчеркнул губернатор Александр Беглов.
Исследователи Политехнического университета, совместив два ранее не сочетавшихся подхода, смогли получить инструмент, который создает основу для минимизации негативных последствий в технологическом процессе при производстве диодов, транзисторов и других элементов.
Практическое значение открытия для электроники многогранно. Открываются новые возможности в производстве полупроводников и разработке приборов для космической сферы.
В экстремальных условиях высокая радиационная стойкость оксида галлия делает его идеальным материалом для электроники, применяемой в космосе, а также для систем управления энергопотоками на АЭС, где важна устойчивость к высокоэнергетическим частицам.
Новый материал открывает перспективы для создания полупроводниковых переключателей, фотодетекторов и датчиков нового поколения.
«В Политехническом университете сильнейшая научная школа по микро- и наноэлектронике. Университет активно сотрудничает с промышленными предприятиями нашего города, расширяет партнёрство для обеспечения технологического суверенитета России»,— отметил Александр Беглов.
Информация Управления Информации – пресс-службы губернатора Санкт-Петербурга
Российское информационное агентство «Национальный альянс»
Подписывайтесь на официальный канал РСИ «Первый национальный» в Telegram
Партнер — адвокат Р. М. Чалов
Еще на эту тему:
Государство – это право: итоги ХХ конкурса «Правовая Россия»
XX Всероссийский конкурс «Правовая Россия» проводит отборочный тур
Победители XIX Всероссийского конкурса «Правовая Россия»
VII Всероссийский юридический форум





